بررسی اثر آلایش ایندیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه‌های نازک سولفید قلع تهیه شده با روش الکتروانباشت

     با استفاده از روش رسوب الکتروشیمیایی، لایه­های نازک سولفید قلع (SnS) خالص و آلایش یافته با ایندیوم از یک محلول آبی تهیه شدند. دمای حمام، زمان لایه­نشانی، پتانسیل انباشت لایه و pH به ترتیب ℃ 60، 30 دقیقه، V 1- و 1/2 بودند. لایه­های نازک تهیه شده با استفاده از روش­های پراش پرتو X (XRD)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (FESEM)، نورتابناکی (PL) و طیف نگاری UV-vis مشخصه­یابی شدند. الگوهای XRD نشان دادند که آلایش ایندیوم، منجر به کاهش کیفیت بلوری و ریزتر شدن اندازه بلورها می­گردد. تصاویر FESEM نشان دادند که مورفولوژی لایه­های نازک دانه-شکل بوده و ساختارهایی در مقیاس میکرو/نانومتری وجود داشت. نتیجه آزمایش فوتولومینوساناس (PL) نشان داد که در اثر آلایش ایندیوم یک قله نشری جدیدی در محدوده نشر نور نارنجی ایجاد می­شود. آنالیز طیف نگاری UV-vis نشان داد که ویژگی جذب نور لایه­های نازک SnS پس از آلایش ایندیوم بهبود یافته و انرژی پهنای باند لایه­های SnS خالص از eV 45/1 به eV 40/1 کاهش یافت. بنابراین، کلیه نتایج نشان­دهنده نقش کلیدی آلاینده ایندیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه­های نازک SnS است.